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제 26회 반도체 대전 SEDEX 2024

October 23 ~ 25 / COEX SEOUL

2024 참가업체 디렉토리

(주)루미지엔테크

LumiGNtech Co., Ltd.

Booth No.D301
  • CEO이 혜용 / Hea-Yong Lee
  • ADDRESS14322 경기도 광명시 하안로 60, [광명테크노파크] E동 902호 / Room 902, E-dong, 60, Haan-ro, Gwangmyeong-si, Gyeonggi-do, Korea 14322
  • CONTACTTel. +82-2-6112-2340~1 / Fax. +82-2-6112-2342 / URL. www.lumigntech.net
  • 제조품목

    □ 질화갈륨 기판: 

        2-inch// 4-inch, Thickness: 370±25㎛// 420±25 , TDD: ≤ 5E+06 ea/㎤, 

        FWHM (002)// (102): ≤ 100 arcsec// 100 arcsec, UID:  ≤ 0.2 ohm-cm, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ 질화갈륨 템플레이트: 

        2-inch// 4-inch GaN on sapphire, Thickness: ≤ 20㎛,TDD: ≤ 1.0E+07 ea/㎤, 

        FWHM (002)// (102): ≤ 250arcsec// 250 arcsec UID:  ≤ 0.1 ohm-cm, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ 질화알루미늄 템플레이트: 

        2-inch// 4-inch AlN on sapphire, Thickness: ≤ 2㎛, FWHM (002)// (102): ≤ 300arcsec// 600 arcsec 

        Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ 탄소 버퍼층을 함유한 질화알루미늄: 

       구조: AlN/Carbon(Graphene)/Sapphire substrate, 

       2-inch// 4-inch AlN on sapphire, AlN Thickness: ≤ 0.5㎛, FWHM (002)// (102): ≤ 1,000 arcsec// 1,000 arcsec 

       Ra: ≤ 0.5nm (10㎛ X 10)

    □ 산화갈륨 에피층(산화갈륨기판/ 사파이어기판): 

        α-산화갈륨 템플레이트

           2-inch and 4-inch Ga2O3 on sapphire / Thickness: 2~4㎛, FWHM (006)// (104) < 150 arcsec// < 1700arcsec

           Ra: ≤ 0.5nm (10㎛ X 10)

        β-산화갈륨 에피층 (β-산화갈륨 기판)

           2-inch Ga2O3 on sapphire / Thickness:10~30㎛, FWHM (002)// (-402) < 100 arcsec// < 150arcsec, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)


    □ GaN substrate:

       2-inch// 4-inch, Thickness: 370±25㎛// 420±25 , TDD: ≤ 5E+06 ea/㎤,

       FWHM (002)// (102): ≤ 100 arcsec// 100 arcsec, UID:  ≤ 0.2 ohm-cm, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ GaN template:

        2-inch// 4-inch GaN on sapphire, Thickness: ≤ 20㎛,TDD: ≤ 1.0E+07 ea/㎤, 

        FWHM (002)// (102): ≤ 250arcsec// 250 arcsec UID:  ≤ 0.1 ohm-cm, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ AlN Template:

        2-inch// 4-inch AlN on sapphire, Thickness: ≤ 2㎛, FWHM (002)// (102): ≤ 300arcsec// 600 arcsec 

        Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

    □ AlN Template with carbon buffer:

       구조: AlN/Carbon(Graphene)/Sapphire substrate, 

       2-inch// 4-inch AlN on sapphire, AlN Thickness: ≤ 0.5㎛, FWHM (002)// (102): ≤ 1,000 arcsec// 1,000 arcsec 

       Ra: ≤ 0.5nm (10㎛ X 10)

     Ga2O3 Epi-layer (on Gallium Oxide substrate/ on sapphire)   

         α-Ga2O3 template

           2-inch and 4-inch Ga2O3 on sapphire / Thickness: 2~4㎛, FWHM (006)// (104) < 150 arcsec// < 1700arcsec

           Ra: ≤ 0.5nm (10㎛ X 10)

        β-Ga2O3 Epi- layer on β-Ga2O3 substrate

         2-inch Ga2O3 on sapphire / Thickness:10~30㎛, FWHM (002)// (-402) < 100 arcsec// < 150arcsec, Ra: ≤ 0.3nm (10㎛ X 10)

  • 회사소개

    □ 질화물 반도체 및 산화물 반도체 단결정 전문 업체

    . 2007년 06월에 설립되어 HVPE성장을 통한 기판성장 및 기판연마가공을 

      이용한 LED용 GaN기판제조에 대한 연구개발 및 제품개발 수행 

      -. HVPE장비개발을 통하여 1호기~5호기 설계 및 장비 설치

         [1호기(1ea x 2"_08.02), 2호기(3ea x 2"_09.04), 3호기(7ea x 2"_13.08)

          4호기(1ea x 2" RF Heater_15.08), 5호기 (1ea x 2" 수직형_20.02)]

    . 2010년 11월 부터 UV LED 및 UV 응용분야용 Sapphire및 SiC기판 상에 AlN 및 

      AlGaN 성장기술  연구개발 수행 및 제품 개발 

     

    . 2019년 04월 부터α-, β-Ga2O3 성장 연구 및 가공 개발 연구수행


    주요 기술 및 경쟁력: 

    01. HVPE성장장비를 이용한 단결정 및 단결정막 성장기술

         질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN), 질화 갈륨알루미늄(AlGaN), 

         산화갈륨(Ga2O3)등의 단결정 성장 

    02. HVPE성장장비 설계 및 제작기술

         RF Heater를 이용한 Cold Wall 또는 전기로를 이용한 Hot Wall 

         형태를 이용한 HVPE장비 설계 제작  

    03. 단결정 기판제조 및  표면 연구가공기술

    04. 단결정 물성 분석 및 평가(결정성, 표면거칠기, 표면저항, 두께, 투과율 등)



    □ Single Crystal specialist for Nitride semiconductor and  Oxide semiconductor

     

    -. Conducted Research and Development on GaN substrate manufacturing (through HVPE growth and substrate polishing processing).

     -. Accomplished Design and equipment installation for 5 HVPE equipment units.

    -.  Reserched and developed Growth technology of AlN and AlGaN Epi-layers on Sapphire and SiC substrates since 2010.

    -. Acchieved  α- and β-Ga2O3 growth research and processing development since 2019.


    Competitiveness:  

       01. Thick and Thin single crystal Growth Technology by HVPE Growth System

              Growth technology of  GaN, AlN, AlGaN and Ga2O3

       02. Design and installation technology of HVPE Growth Equipment system

             -.  Cold Wall system by  RF Heater

             -.  Hot Wall  system by Electric Furnace  

       03. Manufacture and Surface Polishing processing of Single crystal substrate 

       04. Technology of Ananlysis and evalucation of Single crystal physical properties.

             (crystallinity, surface roughness, surface resistance, thickness, transmittance, etc.)

  • 소개영상

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